洁具新技术

    在同一时间，供给到加热单元40的功率控制的晶片W的处理温度的温度上升，和晶片舟皿5是在这种状态下，一个洁具的过程开始，在该状态下，一个洁具的过程开始。加工温度可以是从约200℃至约300℃下，并可能是210℃下，例如处理温度的可以什么。从约200℃至约300℃下，也可以什么。210℃，例如，在洁具过程中，如示于图在洁具过程期间，如图所示3，一个ZrO 2的洁具序列包括一个操作S 1为Zr源气体供给到，使Zr源气体粘附到晶片W，在洁具1的操作通过使用吹扫气体吹扫的洁具1的内部S 2的，一个操作的氧化Zr源气体通过的气体状态的氧化剂（例如，O 3气体）供给到洁具1，和操作通过使用吹扫气体吹扫的洁具1的内部S 4，S 3的ZrO 2膜的形成通过重复的ZrO 2洁具为：x次（x是等于或大于2的整数）序列。 3，ZrO 2的洁具的序列包括一个操作小号3气体）的操作S 3，和一个操作S 4的洁具的内部通过使用吹扫吹扫气体，和ZrO 2的膜的形成通过重复的ZrO 2的洁具为：X次（X是职能或大于2的整数）序列。
    接着，一个SiO 2洁具的序列包括一个操作使Si源气体附着在晶片W的洁具1的Si源气供给到S 5，S 6的操作的洁具1的内部吹扫使用吹扫气体，操作S 7中的氧化硅源气体供给到在洁具1中的气体状态的氧化剂（如O 3气体），以及操作的吹扫的洁具1的内部S 8通过使用吹扫接着，一个的SiO气体，形成的SiO 2膜通过重复的SiO 2洁具序列为y（y是等于或大于1的整数）倍。 5，S 6的操作的洁具的内部吹扫使用吹扫气体，操作S 7中的氧化硅源气体供给到在洁具中的气体状态的氧化剂（如O 3气体），以及操作的吹扫的洁具的内部S 8通过使用吹扫气，和二氧化硅洁具，通过重复的二氧化硅洁具序列为Y（?是职能或大于1的整数）倍。
    x次的ZrO 2洁具序列和y次的SiO 2洁具的序列被认为是作为一个周期，并重复该循环z次，以使膜具有预定的厚度。所述次的ZrO 2的洁具序列和?次的二氧化硅z被设置为一个合适的值，即，大于或等于1，根据所希望的厚度的氧化锆系膜。此外，形成的ZrO 2膜和SiO 2膜的形成可能是反向的顺序。此外，顺序的的SiO 2膜的ZrO 2的膜的形成，并形成可能是反向。
    接着，一个结晶氧化锆系膜的形成通过退火膜如果需要的话，接着，结晶化的氧化池锆基洁具的膜进行退火，如果需要的话，在这种情况下，退火温度可以是低级大于或等于450℃，如果退火温度超过450℃的，它可能会导致不利的影响的半导体
    在这里，x和y的值的确定，使得Si浓度的基于氧化锆的膜是从约1个大气压％至约4个大气压如果Si浓度是小于1大气压％，没有得到足够的效果。如果硅浓度是小于1大气压％，没有得到足够的效果，另一方面，若Si浓度超过4的大气压％，形成的膜成为无定形的，因此膜的介电常数是优选地，氧化锆类膜的Si浓度是从约2个大气压％至约4％（大气压），优选地，氧化池锆系膜的硅浓度什么。从约2个大气压％至约4个大气压％。
    的氧化锆为基础的膜中Si浓度至y /（x + y的），这是一个比Si源被供给在氧化池锆系膜中的硅浓度什么。几乎至是/次Y的数目几乎是成比例（x + y的的），这是一个比次?泗源供给的数目成正比。TEMAZ作为Zr源的情况下，例如，3DMAS被用作Si源，形洁具，根据洁具上述方法的条件下，1乇（133.3帕）和210℃，和膜，然后在450℃下，退火在y /（x + y的值）×100 [％]和Si浓度[大气压的关系％]在膜中如示于图。 /（X + Y）×100 [％]和硅浓度[原子％]在膜中，如图所示4。 4，关于图的详细描述。关于图的的详细描述。4将在下面给出。 4将在下面给出，例如，如示于图例如，如示于图。4，得到的膜的Si浓度是3个大气压％，很明显的比例是y，（是/（ x + y的）×100）（％），可以是约8.3％，即，次Y的SiO 2膜的形成顺序进行的数目可以是1的数目乘以x时的ZrO 2洁具序列进行是11。 4，得到的膜的硅浓度是3个大气压％，很明显的比例是Y，（是/（X + Y的值）×100％）（％），可以是约8.3％，即，数字次?的的SiO 2膜的形成顺序进行时，可以是1的数量乘以所述的ZrO 2的膜的形成顺序进行11，如果在图所示的曲线图。如果如在图的所示的曲线图4是预先准备的，膜可形成为具有适当的x值和y值，以获得所需的Si浓度。 4预先准备的，膜可形成为具有适当的所述值和?的值，以获得所需的硅浓度。
    在操作S 1，Zr源，例如TEMAZ，被供给的Zr Zr源气体供给部15，和Zr源气体，这是使用的蒸发单元22通过汽化Zr源产生的源容器的容器20，是通过Zr源气体管道23和散布喷嘴24的时间段T 1，在操作S 1，锆源，例如TEMAZ，被供给的Zr的Zr源气体供给到所述洁具1的洁具，因此，Zr源被粘附到晶片W在这里，例如，在时间T 1期间可以是从1秒至120秒。因此，锆源被粘附设为晶片W在这里，例如，从1秒至120秒的时间周期性T（1）可能是。此外，例如，Zr源的光通量可以是从约0.2-约0.5毫升/分钟（sccm）的此外，例如，在洁具1的内部压力可以是从约10Pa至约100帕此外，例如，在洁具1的内部压力可以是从约10Pa的至约100帕
    在操作S 3的供给氧化剂，氧化剂，例如，O 3气体，喷出从氧化剂源17的氧化剂供给单元14通过氧化剂配管18和氧化剂扩散喷嘴19，在操作S 3的供给氧化剂，氧化剂，例如，O因此，Zr源连接到晶片W被氧化，因此，ZrO 2的获得。因此，锆源连接设为晶片W被氧化，从而获得ZrO 2的的。
    优选地，用于执行操作S 3的时间周期T 3可以是从10秒到180秒，优选地，用于执行操作S 3的时间周期性T 3可以是从10秒到180秒，虽然磁通的氧化剂的不同根据晶片W堆叠的数量或类型的氧化剂，氧化剂的焊剂可能是，例如，从约100克/米3至约200克/米3，在情况下，使用O 3气体作为氧化剂，从50到100的晶片W的3气体作为氧化剂，和从50到100的晶圆W的层叠，而且，例如，在这种情况下，在洁具1的内部压力可以是从约10Pa到约100
    运算S 2和S 4是吹扫的气体残留在洁具1的操作后S 1或操作S 3的操作，从而使所期望的反应，可能会出现在下一操作。运算S 2和S 4是吹扫的气体残留在洁具1的操作后S 1或操作3中，从而使所期望的反应，可能会出现在下一操作期间的操作中的操作S 2和S 4，吹扫气体供给源29的吹扫气体供给单元28提供吹扫气体，如N 2气体，通过管道30和吹扫气体喷嘴31的吹扫气体进入洁具1，所以，在洁具1的内部的吹扫。在运算S 2和小号2气体，有限公司进入洁具1，所以的洁具1的内部被清除，在此情况下，真空抽吸和供给吹扫气体可以重复的次数，以提高效率的除去剩余的多个时间周期T 2和T 4分别为运算S 2和S 4可以是从20秒到120秒。时间周期，T 2和T 4分别为运算S 2和S 4可以是从20秒到120秒。